APT33GF120LRDQ2G Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 64A 357W TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Switching Energy 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Power - Max 357W
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 14ns/185ns
Supplier Device Package TO-264 [L]
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 170nC
Current - Collector (Ic) (Max) 64A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT33GF120B2RD APT CIs Calientes Especializados 2881
APT33GF120B2RDG APT CIs Calientes Especializados 2573
APT33GF120B2RDQ2 APT CIs Calientes Especializados 2942
APT33GF120B2RDQ2G Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2766
APT33GF120B2RDQ2G Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT33GF120BR APT CIs Calientes Especializados 2904
APT33GF120BRDQ2G APT CIs Calientes Especializados 2779
APT33GF120BRG Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2585
APT33GF120BRG Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT33GF120BRX APT CIs Calientes Especializados 18

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