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APT30M60J Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 21A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5890pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 355W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A
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Otros incluyen   "APT30"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT3024JLL APT CIs Calientes Especializados 2791
APT30D100B APT Módulos IGBT 767
APT30D100BCA APT Módulos IGBT 2633
APT30D100BCAG Microsemi Diodos - Rectificadores - Matrices 2644
APT30D100BCAG Microsemi Corporation Matriz de Diodos Rectificadores
APT30D100BCT APT Módulos IGBT 1816
APT30D100BCTG Microsemi Diodos - Rectificadores - Matrices 14248
APT30D100BCTG Microsemi Corporation Matriz de Diodos Rectificadores
APT30D100BG Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 1403
APT30D100BG Microsemi Corporation Rectificador de Diodo Monofásico

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