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APT26F120B2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package T-MAX™
Power Dissipation (Max) 1135W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 14A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Otros incluyen   "APT26"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT26' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT261D60J APT CIs Calientes Especializados 2907
APT26F120B2 Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
APT26F120L Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2676
APT26GU30B APT CIs Calientes Especializados 2867
APT26M100JCU2 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2618
APT26M100JCU3 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2523

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