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APT22F120L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package TO-264 [L]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8370pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT22F100J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761
APT22F120B2 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2980
APT22F80B Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2565
APT22F80S Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2676

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