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APT19M120J Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 545W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 14A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT19F100J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783
APT19F100J Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales

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