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APT17F100S Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Supplier Device Package D3Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4845pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 625W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'APT17' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT17F100B Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2549
APT17F100B Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
APT17F120J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2794
APT17F80B Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2652
APT17F80S Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2668
APT17N80BC3 APT CIs Calientes Especializados 2745
APT17N80BC3G Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2655
APT17N80SC3G Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2756
APT17NTR-G1 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6444
APT17ZTR-G1 BCD CIs Calientes Especializados 4283

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