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APT15F60S
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APT15F60S Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Supplier Device Package | D3Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 7A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2882pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS 8™ |
Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para APT15F60S
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'APT15'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT150GN120J | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2267 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 1405 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT150GN60B2G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Individual | 2505 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBTs individuales | |
APT150GN60J | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2925 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 1410 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | Módulos IGBT |
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