APT130SM70J Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 700V SOT227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 60A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 700V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Detailed Description N-Channel 700V 78A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package ISOTOP®
Power Dissipation (Max) 273W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 78A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT13001NTR-G1 BCD CIs Calientes Especializados 3148
APT13003CZ-E1 BCD CIs Calientes Especializados 2344
APT13003DI-G1 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1289
APT13003DU-E1 BCD/DIO CIs Calientes Especializados 78778
APT13003DU-G1 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 14500
APT13003DZTR-G1 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1287
APT13003EU-E1 BCD CIs Calientes Especializados 2291
APT13003EU-G1 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 60000
APT13003EZ-E1 BCD CIs Calientes Especializados 54383
APT13003EZTR BCD CIs Calientes Especializados 2625

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