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APT11F80B Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-247 [B]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2471pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 337W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Otros incluyen   "APT11"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT1101R2BFLL APT CIs Calientes Especializados 2702
APT1101RBFLL APT CIs Calientes Especializados 2971
APT1101RBFLLX APT CIs Calientes Especializados 19
APT11026JFLL APT Módulos IGBT 2850
APT11044B2FLL APT CIs Calientes Especializados 2937
APT11044JFLL APT Módulos IGBT 2834
APT11058B2FLL APT CIs Calientes Especializados 2960
APT11058JFLL APT Módulos IGBT 2998
APT11058LFLL APT Módulos IGBT 2812
APT110GF60JN APT Módulos IGBT 2967

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