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APT10SCD120BCT
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APT10SCD120BCT Especificaciones técnicas
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Supplier Device Package | TO-247 |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacitance @ Vr, F | 600pF @ 0V, 1MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 36A (DC) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'APT10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT1001R1BN | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 642 |
APT1001R2HN | APT | CIs Calientes Especializados | 2982 |
APT1001R3BN | APT | CIs Calientes Especializados | 6948 |
APT1001R6BN | APT | CIs Calientes Especializados | 2845 |
APT1001RBLC | APT | CIs Calientes Especializados | 2879 |
APT1001RBN | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12388 |
APT1001RBNR | IXYS | CIs Calientes Especializados | 2686 |
APT1001RBVFR | APTMICROSEMI | CIs Calientes Especializados | 2360 |
APT1001RBVFRG | APT | CIs Calientes Especializados | 2464 |
APT1001RBVR | APT | CIs Calientes Especializados | 19 |
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