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APT10M07JVR Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS V®
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 225A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package ISOTOP®
Power Dissipation (Max) 700W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1050nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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APT10M07JVR Documentos

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Otros incluyen   "APT10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APT10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT1001R1BN Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 642
APT1001R2HN APT CIs Calientes Especializados 2982
APT1001R3BN APT CIs Calientes Especializados 6948
APT1001R6BN APT CIs Calientes Especializados 2845
APT1001RBLC APT CIs Calientes Especializados 2879
APT1001RBN Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12388
APT1001RBNR IXYS CIs Calientes Especializados 2686
APT1001RBVFR APTMICROSEMI CIs Calientes Especializados 2360
APT1001RBVFRG APT CIs Calientes Especializados 2464
APT1001RBVR APT CIs Calientes Especializados 19

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