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APT100M50J
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APT100M50J Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 75A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 24600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Power Dissipation (Max) | 960W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
APT100M50J Documentos
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Hojas de datos
2.APT100M50J.pdf 1.APT100M50J.pdf
Otros incluyen "APT10" partes
Las siguientes partes incluyen 'APT10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT1001R1BN | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 642 |
APT1001R2HN | APT | CIs Calientes Especializados | 2982 |
APT1001R3BN | APT | CIs Calientes Especializados | 6948 |
APT1001R6BN | APT | CIs Calientes Especializados | 2845 |
APT1001RBLC | APT | CIs Calientes Especializados | 2879 |
APT1001RBN | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12388 |
APT1001RBNR | IXYS | CIs Calientes Especializados | 2686 |
APT1001RBVFR | APTMICROSEMI | CIs Calientes Especializados | 2360 |
APT1001RBVFRG | APT | CIs Calientes Especializados | 2464 |
APT1001RBVR | APT | CIs Calientes Especializados | 19 |
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