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APL602B2G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Power Dissipation (Max) 730W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 24.5A, 12V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "APL60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'APL60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APL6001QFI-TYG ANPEC CIs Calientes Especializados 1133
APL6002BA8I-TRG ANPEC CIs Calientes Especializados 2186
APL6003HAI-TRG ANPEC CIs Calientes Especializados 2914
APL6012 Anpec CIs Calientes Especializados 286
APL602J Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2875
APL602J Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
APL602L APT CIs Calientes Especializados 12
APL602LG Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2578

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