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2N7334 Especificaciones técnicas

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 4 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package MO-036AB
Power - Max 1.4W
Package / Case 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N7334 Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
2N7335 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1385
2N7335 Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
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