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2N6849
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2N6849 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-39 |
Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Package / Case | TO-205AF Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Las siguientes partes incluyen '2N684'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N684 | Central Semiconductor | Tiristores - SCRs | 2536 |
2N684 | Central Semiconductor Corp | SCRs Tiristores | |
2N6845 | SI/VISHAY | CIs Calientes Especializados | 1362 |
2N6845JANTX | IR | CIs Calientes Especializados | 159 |
2N6847 | IR | CIs Calientes Especializados | 1406 |
2N6847JANTX | IR | CIs Calientes Especializados | 62 |
2N6849 | Microsemi Corporation | Transistores MOSFET individuales | |
2N6849JANTX | IR | CIs Calientes Especializados | 582 |
2N6849U | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1378 |
2N684A | Central Semiconductor | Tiristores - SCRs | 2532 |
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