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2N6800U Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 400V 18LCC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 18-ULCC (9.14x7.49)
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Package / Case 18-BQFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.75nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N6800 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 668
2N6802 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2501
2N6802U Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2663
2N6804 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2689
2N6804 Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
2N6806 IOR CIs Calientes Especializados 4

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