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2N6790
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2N6790 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V TO-205AF
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-39 |
Power Dissipation (Max) | 800mW (Tc) |
Package / Case | TO-205AF Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2.25A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N679" partes
Las siguientes partes incluyen '2N679'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N6790U | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2671 |
2N6792 | IR | CIs Calientes Especializados | 6 |
2N6794 | IR | CIs Calientes Especializados | 1381 |
2N6796 | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2488 |
2N6796U | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1200 |
2N6798 | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2236 |
2N6798 | Microsemi Corporation | Transistores MOSFET individuales | |
2N6798U | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1382 |
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