2N6784U Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 18LCC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 18-ULCC (9.14x7.49)
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 15W (Tc)
Package / Case 18-BQFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.25A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N6782 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1470
2N6782 Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
2N6782JANTX IR CIs Calientes Especializados 46
2N6782U Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2617
2N6784 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1487
2N6784 Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
2N6786JANTX IR CIs Calientes Especializados 48
2N6788 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 305
2N6788CDBN SILICONIX CIs Calientes Especializados 439
2N6788JANTX IR CIs Calientes Especializados 417

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