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2N6671 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 300V 8A TO-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Transistor Type PNP
Power - Max 150W
Package / Case TO-204AA, TO-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 8A, 300V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N6670 0426+ CIs Calientes Especializados 2725
2N6672 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 20866
2N6672G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 20866
2N6673 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 21085
2N6673 MOT CIs Calientes Especializados 21085
2N6673 Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N6673G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 20866
2N6674 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 20866
2N6674G. AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 20866
2N6675 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 20866

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