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2N5095 Especificaciones técnicas

TRANSISTOR NPN TO-5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V
Transistor Type NPN
Power - Max 4W
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-5
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 500V 1A 4W Through Hole TO-5
Current - Collector Cutoff (Max) -
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2N5091 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2522
2N5092 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2652
2N5093 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2659
2N5097 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2738
2N5099 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2545

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