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2N4449UB
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2N4449UB Especificaciones técnicas
NPN TRANSISTOR
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Transistor Type | NPN |
Series | Military, MIL-PRF-19500/317 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 400nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
Supplier Device Package | UB |
Power - Max | 360mW |
Package / Case | - |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | - |
2N4449UB Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N444" partes
Las siguientes partes incluyen '2N444'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N4449 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1491 |
2N4449UB | Microsemi Corporation | Transistores BJT individuales |
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