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2N3960UB Especificaciones técnicas

TRANS NPN 12V UB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Transistor Type NPN
Power - Max 400mW
Package / Case 3-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 30mA
Supplier Device Package UB
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Las siguientes partes incluyen  '2N396' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N3960 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2610
2N3962 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1460
2N3963 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 210
2N3964 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2525
2N3964 PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
2N3965 MOTOROL CIs Calientes Especializados 2514

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