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2N3737 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 40V 1.5A TO-46

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN
Power - Max 500mW
Package / Case TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 1.5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 900mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-46-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N3735 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1480
2N3735 Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N3735L Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2542
2N3737 Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N3737A MOTOROLA CIs Calientes Especializados 532
2N3737UB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2733
2N3738 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 1387
2N3739 Central Semiconductor CIs Calientes Especializados 8

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