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2N3637UB Especificaciones técnicas

TRANS PNP 175V 1A 3PIN SMD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 175V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.5W
Package / Case 3-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package UB
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N3634 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2596
2N3634L Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2697
2N3634UB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2594
2N3634UB Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N3635 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5246
2N3635 Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N3635L Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2519
2N3635UB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2645
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