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2N2919L Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 350mW
Package / Case TO-78-6 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Supplier Device Package TO-78-6
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N2913 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2500
2N2913 Central Semiconductor Corp Matrices BJT Transistores
2N2914 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2637
2N2914 Central Semiconductor Corp Matrices BJT Transistores
2N2915 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2500
2N2915 Central Semiconductor Corp Matrices BJT Transistores
2N2915A Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2694
2N2915A Central Semiconductor Corp Matrices BJT Transistores
2N2916 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2580
2N2916 Central Semiconductor Corp Matrices BJT Transistores

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