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2N2605 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 0.03A TO-46

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 400mW
Package / Case TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package TO-46-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N2604 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2725
2N2605 Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N2605UB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2611
2N2608 M CIs Calientes Especializados 1338
2N2608 Central Semiconductor Corp Transistores JFETs
2N2609 Microsemi Transistores - JFETs 2512
2N2609 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2667
2N2609 Microsemi Corporation Transistores JFETs

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