2N2432AUB Especificaciones técnicas

BJTS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN
Power - Max 360mW
Other Names 2N2432AUBMS
Mounting Type Surface Mount
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 360mW Surface Mount UB
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package UB
Package / Case 4-SMD, No Lead
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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2N2432 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2658
2N2432A Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2679
2N2432A Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N2432UB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2714

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