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2N2219 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 0.8A TO-39

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 800mW
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-39
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N2218 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2588
2N2218 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2795
2N2218 Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N2218A Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
2N2218A Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2720
2N2218A PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
2N2218AL Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2581
2N2219 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2402
2N2219 Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N2219 PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales

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