2A8 Especificaciones técnicas

TRANS RF BIPO 5.3W 300MA 55EU2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 21V
Supplier Device Package 55EU
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 2GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 5.3W
Package / Case 55EU
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 7dB ~ 9dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2A8 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
2A8-4204-00 3M Zócalos para CI, Transistores 0
2A8/J Bussmann (Eaton) Bloques Terminales - Accesorios 2560
2A8/J Eaton - Electronics Division Accesorios para Bloques Terminales
2A81 Honeywell Sensing and Productivity Solutions Accesorios - Gorras 2711
2A81-L Honeywell Sensing and Productivity Solutions Accesorios - Gorras 2656
2A82 Honeywell Sensing and Productivity Solutions Accesorios - Gorras 2644
2A82-L Honeywell Sensing and Productivity Solutions Accesorios - Gorras 2618
2A823J HITACHI CIs Calientes Especializados 2614
2A844 HGF CIs Calientes Especializados 50000

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