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1N5821US Especificaciones técnicas

DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A
Supplier Device Package B, SQ-MELF
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 125°C
Diode Type Schottky
Current - Average Rectified (Io) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1N5820 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 12215
1N5820 STMicroelectronics Diodos - Rectificadores - Individual 12215
1N5820 Fairchild/ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 12215
1N5820 ON Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico
1N5820 A0G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 2760
1N5820 B0G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 2560
1N5820 MCU AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 431
1N5820 R0G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 2783
1N5820 SS32 TOS CIs Calientes Especializados 4404
1N5820-A Diodes Incorporated Diodos - Rectificadores - Individual 2647

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