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1N5809 Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Package / Case | B, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
1N5809 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "1N580" partes
Las siguientes partes incluyen '1N580'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
1N5802 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2739 |
1N5802 | Semtech | Diodos - Rectificadores - Individual | 0 |
1N5802US | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2502 |
1N5802US | Semtech | Diodos - Rectificadores - Individual | 2685 |
1N5803 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2579 |
1N5803 | Microsemi Corporation | Rectificador de Diodo Monofásico | |
1N5804 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2689 |
1N5804 | Semtech | Diodos - Rectificadores - Individual | 2630 |
1N5804US | Semtech | Diodos - Rectificadores - Individual | 2614 |
1N5804US | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2673 |
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