1N5807US Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Supplier Device Package B, SQ-MELF
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1N5802 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2739
1N5802 Semtech Diodos - Rectificadores - Individual 0
1N5802US Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2502
1N5802US Semtech Diodos - Rectificadores - Individual 2685
1N5803 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2579
1N5803 Microsemi Corporation Rectificador de Diodo Monofásico
1N5804 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2689
1N5804 Semtech Diodos - Rectificadores - Individual 2630
1N5804US Semtech Diodos - Rectificadores - Individual 2614
1N5804US Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2673

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