1N4449 Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 30mA
Supplier Device Package DO-35
Reverse Recovery Time (trr) 4ns
Package / Case DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 25nA @ 20V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 75V
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 200mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1N4444-1 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2526
1N4446 Fairchild/ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 16901
1N4446 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 24004
1N4446 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 16957
1N4446 Rochester Electronics, LLC Rectificador de Diodo Monofásico
1N4446 BK Central Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2705
1N4446 TR Central Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2777
1N4446TR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 3189
1N4446TR Fairchild/ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2325
1N4446_T50R Fairchild/ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2701

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