NAND512W3A2SZA6E Especificaciones técnicas

IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Speed -
Package / Case 63-TFBGA
Memory Type Non-Volatile
Memory Format FLASH
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 63-VFBGA (9x11)
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Size 512Mb (64M x 8)
Interface Parallel
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NAND512 ST/Numony CIs Calientes Especializados 12
NAND512R3A2AZA6E STMicroelectronics Memoria 2614
NAND512R3A2BZA6 STM CIs Calientes Especializados 439
NAND512R3A2BZA6E STMicroelectronics Memoria 2606
NAND512R3A2CZA6 ST CIs Calientes Especializados 2615
NAND512R3A2CZA6E Micron Technology Memoria 435
NAND512R3A2DZA6 ST CIs Calientes Especializados 2700
NAND512R3A2DZA6E Micron Technology Memoria 15658
NAND512R3A2SE06 Micron Technology Memoria 2671
NAND512R3A2SN6E Micron Technology Memoria 2642

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