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MTA4ATF51264AZ-2G6E1
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MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Especificaciones técnicas
IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | SDRAM - DDR4 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 32Gb (512M x 64) |
Memory Format | DRAM |
Detailed Description | SDRAM - DDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) Parallel 1333MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.2V |
Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 1333MHz |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'MTA4A'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MTA4ATF1G64AZ-2G6E1 | Micron Technology Inc. | Módulos de Memoria | |
MTA4ATF1G64AZ-3G2E1 | Micron Technology Inc. | Módulos de Memoria | |
MTA4ATF1G64HZ-2G6E1 | Micron Technology Inc. | Módulos de Memoria | |
MTA4ATF1G64HZ-3G2E1 | Micron Technology Inc. | Módulos de Memoria | |
MTA4ATF25664AZ-2G3B1 | Micron Technology | Módulos de Memoria | 2777 |
MTA4ATF25664AZ-2G3B1 | Micron Technology Inc. | Módulos de Memoria | |
MTA4ATF25664AZ-2G6B1 | Micron Technology | Memoria | 2714 |
MTA4ATF25664AZ-2G6B1 | Micron Technology Inc. | Módulos de Memoria | |
MTA4ATF25664HZ-2G3B1 | Micron Technology | Módulos de Memoria | 2771 |
MTA4ATF25664HZ-2G3B1 | Micron Technology Inc. | Módulos de Memoria |
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