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MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR Especificaciones técnicas

IC DRAM 12G 1866MHZ

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Other Names MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR-ND MT53D384M32D2DS-053XT:ETR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 12Gb (384M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1866MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -30°C ~ 105°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 1866MHz
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Otros incluyen   "MT53D"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MT53D' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D Micron Technology Memoria 2522
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR Micron Technology Memoria 2602
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D Micron Technology Memoria 0
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR Micron Technology Memoria 0
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D Micron Technology Memoria 2738
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D TR Micron Technology Memoria 2526
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E Micron Technology Memoria 2579
MT53D1024M32D4DT-046 AIT MICKON CIs Calientes Especializados 2333
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D Micron Technology Memoria 2516
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D TR Micron Technology Memoria 2643

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