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MT53B512M64D4NZ-062 WT:D
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MT53B512M64D4NZ-062 WT:D Especificaciones técnicas
IC DRAM 32G 1600MHZ
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Operating Temperature | -30°C ~ 85°C (TC) |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | - |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 1600MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.1V |
Other Names | MT53B512M64D4NZ-062 WT:D-ND MT53B512M64D4NZ-062WT:D |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 32Gb (512M x 64) |
Memory Format | DRAM |
Detailed Description | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz |
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MT53B512M64D4NZ-062 WT:D
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MT53B" partes
Las siguientes partes incluyen 'MT53B'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C | Micron Technology | Memoria | 2606 |
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR | Micron Technology | Memoria | 2662 |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C | Micron Technology | Memoria | 2561 |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR | Micron Technology | Memoria | 2698 |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C | Micron Technology | Memoria | 2778 |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR | Micron Technology | Memoria | 2505 |
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D | Micron Technology | Memoria | 2511 |
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR | Micron Technology | Memoria | 2602 |
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D | Micron Technology | Memoria | 2710 |
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D | Micron Technology | Memoria | 2728 |
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