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MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR Especificaciones técnicas

IC DRAM 4G 1600MHZ

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Other Names MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR-ND MT53B128M32D1NP-062AUT:ATR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (128M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 1600MHz
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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "MT53B"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MT53B' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Micron Technology Memoria 2606
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR Micron Technology Memoria 2662
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Micron Technology Memoria 2561
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR Micron Technology Memoria 2698
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C Micron Technology Memoria 2778
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR Micron Technology Memoria 2505
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D Micron Technology Memoria 2511
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology Memoria 2602
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology Memoria 2710
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Memoria 2728

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