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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A Especificaciones técnicas
IC DRAM 4G 1866MHZ
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TC) |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | - |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 1866MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.1V |
Other Names | MT53B128M32D1DS-053 AUT:A-ND MT53B128M32D1DS-053AUT:A |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Gb (128M x 32) |
Memory Format | DRAM |
Detailed Description | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1866MHz |
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MT53B128M32D1DS-053 AUT:A
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MT53B" partes
Las siguientes partes incluyen 'MT53B'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C | Micron Technology | Memoria | 2606 |
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR | Micron Technology | Memoria | 2662 |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C | Micron Technology | Memoria | 2561 |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR | Micron Technology | Memoria | 2698 |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C | Micron Technology | Memoria | 2778 |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR | Micron Technology | Memoria | 2505 |
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D | Micron Technology | Memoria | 2511 |
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR | Micron Technology | Memoria | 2602 |
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D | Micron Technology | Memoria | 2710 |
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D | Micron Technology | Memoria | 2728 |
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