MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F Especificaciones técnicas

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Detailed Description FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.8V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Size 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Memory Format FLASH, RAM
Clock Frequency 533MHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 Micron Technology Memoria 2557
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Micron Technology Memoria 2756
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G Micron Technology Memoria 2546
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR Micron Technology Memoria 2587
MT29RZ1C1CZZHGTN-25W.4M8 Micron Technology CIs Calientes Especializados 524
MT29RZ1CVCZZHGTN MICRON CIs Calientes Especializados 4800
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H Micron Technology Memoria 2788
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR Micron Technology Memoria 2617
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Micron Technology Memoria 1643
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Micron Technology Memoria 2536

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