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MT29F8G08ABABAWP-AATX:B Especificaciones técnicas

IC FLASH 8G PARALLEL TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND
Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Size 8Gb (1G x 8)
Memory Format FLASH
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Series Automotive, AEC-Q100
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Detailed Description FLASH - NAND Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel
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Las siguientes partes incluyen  'MT29F' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR Micron Technology Memoria 2683
MT29F128G08AECBBH6-6IT: MICRON CIs Calientes Especializados 2900
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B Micron Technology Memoria 352
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B MICRON CIs Calientes Especializados 831
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR Micron Technology Memoria 2550
MT29F128G08AEEBBH6-12:B Micron Technology Memoria 2742
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR Micron Technology Memoria 2771
MT29F128G08AJAAAWP Micron Technology CIs Calientes Especializados 6682
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A Micron Technology Memoria 2573
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR Micron Technology Memoria 2744

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