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MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR Especificaciones técnicas

IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 2.5 V ~ 3.6 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Size 3Tb (384G x 8)
Interface Parallel
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Speed 333MHz
Memory Type Non-Volatile
Memory Format FLASH
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MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR Documentos

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Otros incluyen   "MT29F"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MT29F' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR Micron Technology Memoria 2683
MT29F128G08AECBBH6-6IT: MICRON CIs Calientes Especializados 2900
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B Micron Technology Memoria 352
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B MICRON CIs Calientes Especializados 831
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR Micron Technology Memoria 2550
MT29F128G08AEEBBH6-12:B Micron Technology Memoria 2742
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR Micron Technology Memoria 2771
MT29F128G08AJAAAWP Micron Technology CIs Calientes Especializados 6682
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A Micron Technology Memoria 2573
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR Micron Technology Memoria 2744

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