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MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E
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MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E Especificaciones técnicas
IC FLASH 2G PARALLEL TSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH - NAND |
Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 2Gb (128M x 16) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel |
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MT29F" partes
Las siguientes partes incluyen 'MT29F'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR | Micron Technology | Memoria | 2683 |
MT29F128G08AECBBH6-6IT: | MICRON | CIs Calientes Especializados | 2900 |
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B | Micron Technology | Memoria | 352 |
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B | MICRON | CIs Calientes Especializados | 831 |
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR | Micron Technology | Memoria | 2550 |
MT29F128G08AEEBBH6-12:B | Micron Technology | Memoria | 2742 |
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR | Micron Technology | Memoria | 2771 |
MT29F128G08AJAAAWP | Micron Technology | CIs Calientes Especializados | 6682 |
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A | Micron Technology | Memoria | 2573 |
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR | Micron Technology | Memoria | 2744 |
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