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MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Especificaciones técnicas

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND
Other Names MT29F1G08ABADAWP-E:D TR-ND MT29F1G08ABADAWP-E:DTR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 1Gb (128M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'MT29F' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR Micron Technology Memoria 2683
MT29F128G08AECBBH6-6IT: MICRON CIs Calientes Especializados 2900
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B Micron Technology Memoria 352
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B MICRON CIs Calientes Especializados 831
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR Micron Technology Memoria 2550
MT29F128G08AEEBBH6-12:B Micron Technology Memoria 2742
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR Micron Technology Memoria 2771
MT29F128G08AJAAAWP Micron Technology CIs Calientes Especializados 6682
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A Micron Technology Memoria 2573
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR Micron Technology Memoria 2744

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MT29F1G08ABADAWP-E:D TR fabricantes de marca: Micron Technology, Bonchip existencias, MT29F1G08ABADAWP-E:D TR precio de referencia. MT29F1G08ABADAWP-E:D TR parámetros, MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar MT29F1G08ABADAWP-E:D TR diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, MT29F1G08ABADAWP-E:D TR tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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