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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Especificaciones técnicas

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Detailed Description FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 333MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.5 V ~ 3.6 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Size 512Gb (64G x 8)
Memory Format FLASH
Clock Frequency 333MHz
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Otros incluyen   "MT29E"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MT29E' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MT29E128G08CECABH1-10:A Micron Technology CIs Calientes Especializados 1000
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A Micron Technology Memoria 2595
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR Micron Technology Memoria 2619
MT29E128G08CECDBJ4-6:D Micron Technology Memoria 2710
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR Micron Technology Memoria 2792
MT29E128G08CMCBBH2-12:B Micron Technology CIs Calientes Especializados 1000
MT29E1HT08ELHBBG1-3:B Micron Technology Memoria 2702
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR Micron Technology Memoria 2735
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B Micron Technology Memoria 18
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR Micron Technology Memoria 2738

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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B fabricantes de marca: Micron Technology, Bonchip existencias, MT29E512G08CEHBBJ4-3:B precio de referencia. MT29E512G08CEHBBJ4-3:B parámetros, MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar MT29E512G08CEHBBJ4-3:B diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, MT29E512G08CEHBBJ4-3:B tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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