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MT29E2T08CUHBBM4-3:B
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MT29E2T08CUHBBM4-3:B Especificaciones técnicas
IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH - NAND |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 2Tb (256G x 8) Parallel 333MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.5 V ~ 3.6 V |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
Memory Size | 2Tb (256G x 8) |
Memory Format | FLASH |
Clock Frequency | 333MHz |
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Documentos
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "MT29E" partes
Las siguientes partes incluyen 'MT29E'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MT29E128G08CECABH1-10:A | Micron Technology | CIs Calientes Especializados | 1000 |
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A | Micron Technology | Memoria | 2595 |
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR | Micron Technology | Memoria | 2619 |
MT29E128G08CECDBJ4-6:D | Micron Technology | Memoria | 2710 |
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR | Micron Technology | Memoria | 2792 |
MT29E128G08CMCBBH2-12:B | Micron Technology | CIs Calientes Especializados | 1000 |
MT29E1HT08ELHBBG1-3:B | Micron Technology | Memoria | 2702 |
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR | Micron Technology | Memoria | 2735 |
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B | Micron Technology | Memoria | 18 |
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR | Micron Technology | Memoria | 2738 |
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