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MT28EW512ABA1HJS-0AAT
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MT28EW512ABA1HJS-0AAT Especificaciones técnicas
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 60ns |
Technology | FLASH - NOR |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 105ns 56-TSOP (14x20) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 56-TSOP (14x20) |
Package / Case | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 105ns |
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Otros incluyen "MT28E" partes
Las siguientes partes incluyen 'MT28E'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MT28EW01GABA1HJS-0AAT | Micron Technology | Memoria | 2500 |
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR | Micron Technology | Memoria | 2611 |
MT28EW01GABA1HJS-0SIT | Micron Technology | Memoria | 1301 |
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR | Micron Technology | Memoria | 2582 |
MT28EW01GABA1HPC-0AAT | Micron Technology | Memoria | 0 |
MT28EW01GABA1HPC-0AAT TR | Micron Technology | Memoria | 2566 |
MT28EW01GABA1HPC-0SIT | Micron Technology | Memoria | 1424 |
MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR | Micron Technology | Memoria | 2677 |
MT28EW01GABA1HPC-1SIT | Micron Technology | Memoria | 2567 |
MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR | Micron Technology | Memoria | 2690 |
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