VN2110K1-G Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 1.437803g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature HIGH INPUT IMPEDANCE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 360mW Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 360mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ω @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 4Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VN2110K SI CIs Calientes Especializados 2832
VN2110K1 SUPERTEX CIs Calientes Especializados 1201
VN2110K1-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3796
VN2110K1-G MOS SUPERTEX CIs Calientes Especializados 6693

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