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VN2106N3-G Especificaciones técnicas

MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,60V,4.0 Ohm3 TO-92BAG

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 453.59237mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 300mA
Drain-source On Resistance-Max 4Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position BOTTOM
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ω @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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VN2106N3-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2127

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