TP2540N3-G Especificaciones técnicas

Trans MOSFET P-CH 400V 0.086A 3-Pin TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW THRESHOLD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 740mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86mA Tj
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -400V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 453.59237mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Position BOTTOM
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 740mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 Ω @ 100mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 25V
Rise Time 10ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 86mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.086A
Feedback Cap-Max (Crss) 25 pF
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TP2540N3-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2692
TP2540N3-G-P002 Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2523
TP2540N8 Original CIs Calientes Especializados 49647
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